请问可不可以在ESD管的漏极和PAD之间加一个限流电阻

lindychen · 发表于 2015-9-9 11:23:35

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本帖最后由 lindychen 于 2015-9-9 15:09 编辑

请问在ESD管的漏极和PAD之间加一个限流电阻，大小为500欧姆左右，这样对ESD会有很大影响？谢谢

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hehuachangkai · 发表于 2015-9-9 15:05:55

问题不大吧，注意contact的数量，一定要保证足够的电流流通泄放能力。

chiarella · 发表于 2015-9-9 15:55:13

我的理解是这样不行，会改变内部电路的耐压值。比如40V ESD protection, 你加了这个电阻， ESD发生的时候，由于这个电阻上的压降，PAD上的电压会冲到超过40V，内部电路就坏了。

fuyibin · 发表于 2015-9-9 16:07:57

请问在ESD管的漏极和PAD之间加一个限流电阻，大小为500欧姆左右，这样对ESD会有很大影响？谢谢
lindychen 发表于 2015-9-9 11:23

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ESD管是什么？要分清是被保护的device还是用来discharge ESD current的device。
被保护的器件加电阻没有问题

semico_ljj · 发表于 2015-9-9 16:46:44

回复 1# lindychen

不可行！

lindychen · 发表于 2015-9-9 17:47:39

ESD管是什么？要分清是被保护的device还是用来discharge ESD current的device。
被保护的器件加电阻没 ...
fuyibin 发表于 2015-9-9 16:07

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是discharge ESD current 的device，要是被保护的device就不纠结了。
是想用ESD管子本身用做驱动管，然后在管子的漏极和PAD之间增加一个50-100欧姆的
poly电阻，省掉芯片外部的限流电阻。但以前的ESD没有这样做过。

lindychen · 发表于 2015-9-9 17:51:51

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回复 1# lindychen

fuyibin · 发表于 2015-9-9 22:37:58

回复 6# lindychen

那你就别想那样做了，要不会死的很惨很惨。
IO直接会被打的外焦里嫩，那不是吓唬你，以前我们连错过，把poly挂在了esd diode外侧，也就是你想要的case。你想想就算HBM2k也要1.3A peak current，要在500ohm的poly上产生650V IRdrop，一定会把这个poly 当fuse烧

hszgl · 发表于 2015-9-10 15:39:01

回复 lindychen

那你就别想那样做了，要不会死的很惨很惨。
IO直接会被打的外焦里嫩，那不是吓唬你 ...
fuyibin 发表于 2015-9-9 22:37

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同意，没有ESD管的poly基本就是个fuse

fuyibin · 发表于 2015-9-10 16:06:49

是discharge ESD current 的device，要是被保护的device就不纠结了。
是想用ESD管子本身用做驱动 ...
lindychen 发表于 2015-9-9 17:47

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我觉得你这个问题挺好解决，干嘛一定要在drain串电阻，要限流在source端串也一样啊
而且既然不要这么强的drive strength，不能把输出管的L做大一点，自然就加大了输出阻抗
这样靠snapback的IO都是有标准做法的，建议参考froundry提供的standard IO
要不然你自己做出来的说不准还不会进snapback呢

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