有篇jssc的论文讲得很详细的。Static-Noise Margin Analysis of MOS SRAM Cells
大意是两个反相器的电压传输曲线放同一个坐标里构成蝶形图,snm定义为蝶形图最大内接正方形的边长。
具体求法是把坐标轴旋转45度,两条曲线相减,得到的曲线最大值就是内接正方形的对角线长。这个拿code实现比较方便。
单次仿真结果意义不大,一般至少要做到5sigma6sigma把。
论文我看过了,就是有点不太明白“In the (v, u) system, subtraction of the v values of normal
and mirrored inverter characteristics at given u yields curve A, which is a measure of the diagonal’s length. ”,反转以后在 V U 坐标系中,减小v的值,后面那句话不知道是什么意思