设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › ESD/EOS和latchup(芯片级) › ESD/EOS讨论区 › 想问下内部器件输出管的Vt1<BVDS的情况 ...
返回列表 发新帖
查看: 3314|回复: 6

[求助] 想问下内部器件输出管的Vt1<BVDS的情况

[复制链接]
lfh1989
发表于 2015-6-29 15:51:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
普通情况下NMOS的Vt1>BVDS的，但有些工艺下NMOS的Vt1<BVDS，此时做输出端2kV的ESD设计时要求ESD器件在2kV HBM下钳位电压小于输出管NMOS的Vt1么？还是说只需要小于BVDS就行了？
另外如果是rail-based的ESD设计，是否要求supply clamp在泄放2kVESD电流时的导通电压小于内部NMOS的Vt1-VBE，（VBE为输出端二极管导通电压）。
回复

举报

lfh1989
 楼主| 发表于 2015-6-30 15:08:04 | 显示全部楼层
求解答 先自己顶一个
回复 支持 反对

举报

lfh1989
 楼主| 发表于 2015-7-13 14:47:04 | 显示全部楼层
继续自己顶一下
回复 支持 反对

举报

albertyin
发表于 2015-7-14 15:30:29 | 显示全部楼层
如果你钳位电压接近Vt1, 那你怎么放电?
钳位电压应该介于snapback曲线上Vh和Vt2之间.
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

lfh1989
 楼主| 发表于 2015-7-23 13:59:37 | 显示全部楼层
回复 4# albertyin

能看清楚问题再回答么？ 我说的ESD 钳位电压是小于输出buffer的vt1 还是 bvds ，输出buffer是内部器件，不是用来泄放esd的，rail-based的ESD钳位是要求小于被保护器件的vt1还是BVDS 谢谢
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

jian1712
发表于 2015-7-23 17:21:33 | 显示全部楼层
回复 5# lfh1989
BVDS比较容易在PDK中查到，而buffer的Vt1不知道楼主怎么得到的，所以ESD的Vt1通常要小于被保护器件的Breakdown电压，当然如果楼主既有被保护器件的Vt1又有BVDS，那么ESD的Vt1要小于前面的两个值，同时大于Maximum operating voltage.ESD防护的终极目标是所有的ESD电流都通过ESD网络泄放
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

lfh1989
 楼主| 发表于 2015-11-9 11:32:23 | 显示全部楼层
回复 6# jian1712

这么久了 忘上论坛了还是表示下感谢
也就是说保守做法是让ESD 的Vt1电压小于输出buffer的BVDS和Vt1两个中的较小者吧
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-18 07:40 , Processed in 0.018416 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表