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查看: 3086|回复: 6

[求助] 想问下内部器件输出管的Vt1<BVDS的情况

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lfh1989
发表于 2015-6-29 15:51:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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普通情况下NMOS的Vt1>BVDS的，但有些工艺下NMOS的Vt1<BVDS，此时做输出端2kV的ESD设计时要求ESD器件在2kV HBM下钳位电压小于输出管NMOS的Vt1么？还是说只需要小于BVDS就行了？
另外如果是rail-based的ESD设计，是否要求supply clamp在泄放2kVESD电流时的导通电压小于内部NMOS的Vt1-VBE，（VBE为输出端二极管导通电压）。
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lfh1989
 楼主| 发表于 2015-6-30 15:08:04 | 显示全部楼层
求解答 先自己顶一个
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lfh1989
 楼主| 发表于 2015-7-13 14:47:04 | 显示全部楼层
继续自己顶一下
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albertyin
发表于 2015-7-14 15:30:29 | 显示全部楼层
如果你钳位电压接近Vt1, 那你怎么放电?
钳位电压应该介于snapback曲线上Vh和Vt2之间.
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lfh1989
 楼主| 发表于 2015-7-23 13:59:37 | 显示全部楼层
回复 4# albertyin

能看清楚问题再回答么？ 我说的ESD 钳位电压是小于输出buffer的vt1 还是 bvds ，输出buffer是内部器件，不是用来泄放esd的，rail-based的ESD钳位是要求小于被保护器件的vt1还是BVDS 谢谢
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jian1712
发表于 2015-7-23 17:21:33 | 显示全部楼层
回复 5# lfh1989
BVDS比较容易在PDK中查到，而buffer的Vt1不知道楼主怎么得到的，所以ESD的Vt1通常要小于被保护器件的Breakdown电压，当然如果楼主既有被保护器件的Vt1又有BVDS，那么ESD的Vt1要小于前面的两个值，同时大于Maximum operating voltage.ESD防护的终极目标是所有的ESD电流都通过ESD网络泄放
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lfh1989
 楼主| 发表于 2015-11-9 11:32:23 | 显示全部楼层
回复 6# jian1712

这么久了 忘上论坛了还是表示下感谢
也就是说保守做法是让ESD 的Vt1电压小于输出buffer的BVDS和Vt1两个中的较小者吧
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