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发表于 2015-6-4 17:04:25
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本帖最后由 zw5823035 于 2015-6-4 17:10 编辑
1,二级效应,TSMC的叫法是 WPE,OSE,PSE,LOD。具体自己看下rule吧。记得让电路把analog管子的DFM开关打开。
2,IRdrop,因为小工艺的金属比较薄,过流能力不行,一般小工艺金属层会很多,1p10m经常见,像大电流就得多叠几层或者用TOPmetal。
3,寄生更大。由于寄生,电容都由MIM变成MOM了,所以走线寄生在小工艺里是很大的。所以假如有前端的说,你这画的和前仿有差距啊。(假如不是很大)你可以无视他了。
4,小工艺匹配和大工艺有点区别,大工艺更考虑共质心,小工艺mismatch没有那么大,更关注的是对称。所以ABBA更适合大工艺,ABAB更适合小工艺。
以上只是跟人观点哈。不一定是标准答案。 |
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