低溫低壓的銅銅接合技術

peterlin2010

微電子封裝技術研究重大突破！交大團隊利用特殊電鍍技術，發展出低溫低壓的銅銅接合技術，若未來進一步提升反應速度與均勻度，將有望取代銲錫，成為繼打線接合、捲帶自動接合、覆晶封裝技術、微凸塊/矽穿孔電鍍後的第五代電子封裝技術。
這項研究由交大材料系教授陳智與電子系教授陳冠能領導，團隊成員包含交通大學材料系博士後研究員劉健民、蕭翔耀，與博士班學生劉道奇、林漢文、呂佳凌、黃以撒，碩士班學生呂典融，以及加州大學洛杉磯分校教授、中研院院士杜經寧等人，所有的實驗都在台灣完成。
陳智表示，團隊前年製備出有最密堆積平面的奈米雙晶銅金屬膜，平面上的銅原子有擴散速度較快，適合發展低溫低壓的銅銅接合技術，目前已經可以成功在一般真空環境下，以150度低溫及低壓下進行銅-銅接合，接合過程可在60分鐘內完成，遠低於一般無鉛銲錫迴銲的溫度。
研究團隊表示，目前半導體界的發展即將達到微影技術及材料的物理極限，無法再繼續微縮。銅直接接合技術符合影像感測器製作上真空、低於200度的需求，未來也可運用在手機、電腦的散熱管接合，以及異質整合，目前已獲得台灣發明專利，並同時申請美國及德國專利。

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