tsmc 16nm encounter postroute drc violation 求助

paulsuzhou · 发表于 2015-6-2 05:49:52

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本帖最后由 paulsuzhou 于 2015-6-2 09:14 编辑

大家好，我刚刚接触tsmc 16nm 9 layer process ,我一个在p&R 数字模块，只用到6层金属，clock 用3~6 non default ,其它都是regular route ,post route 之后，
总是存在一些 drc 问题，gds write out 之后用calibre 检查不少metal space norch via 之类
的错误，按照我以前在90工艺中的经验，对于congestion还算可以的desgin，encounter p&r
部分应该route的很干净或比较干净，一些明显看上去不应该的为啥还存在呢？有什么办法可以修掉这些？
ecoroute 几

次貌似还是搞不掉。

icfbicfb · 发表于 2015-6-2 13:34:02

刚接触pr就做16nm finfet，让人羡慕

28以后，router drc就多了，别提16了，再研究下吧

paulsuzhou · 发表于 2015-6-2 15:28:33

han .......

legend03u8z · 发表于 2015-6-2 17:34:10

跟double pattern有关系吗，好高端不了解

haoshiyang · 发表于 2015-6-3 19:47:34

16nm DRC rule研究了吗？16nm工艺DRC要求更严格，是否和楼上所说避免odd circle有关的DRC

biao070525 · 发表于 2016-1-11 17:09:10

好好看看design_rule，都有描述啊

yic2000 · 发表于 2016-3-13 13:44:24

好像是double pattern，出pin方向好奇怪

jackapple · 发表于 2016-3-14 14:18:33

cool.

raga21 · 发表于 2018-2-16 18:58:13

u have drc manual?

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