08版Sentaurus中GaN HEMT器件的仿真

jingjingdelan · 发表于 2015-5-27 10:05:23

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08版的Sentaurus中有GaN HEMT仿真的DC的例子，在器件仿真中加入了雪崩击穿模型，想仿真它的击穿特性，发现碰撞电离率很低，而且器件的栅漏之间横向电场很小，根本无法通过增加栅漏间距来增加器件的耐压。总体来说，就是觉得器件的仿真有问题，但是又不知道问题出在哪里，想请问有没有用Sentaurus仿真过GaN HEMT的大神，有没有仿真例程，或者是比较新的版本里的仿真例程，谢谢了！这个问题已经困扰我两个月了，一直没有找到解决办法，恳请各位有过仿真经验的能够为我解答疑惑，万分感谢！！！

felicris · 发表于 2019-4-20 17:00:54

Thanks

[原创] 08版Sentaurus中GaN HEMT器件的仿真

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