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查看: 3353|回复: 1

[原创] 08版Sentaurus中GaN HEMT器件的仿真

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发表于 2015-5-27 10:05:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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08版的Sentaurus中有GaN HEMT仿真的DC的例子,在器件仿真中加入了雪崩击穿模型,想仿真它的击穿特性,发现碰撞电离率很低,而且器件的栅漏之间横向电场很小,根本无法通过增加栅漏间距来增加器件的耐压。总体来说,就是觉得器件的仿真有问题,但是又不知道问题出在哪里,想请问有没有用Sentaurus仿真过GaN HEMT的大神,有没有仿真例程,或者是比较新的版本里的仿真例程,谢谢了!这个问题已经困扰我两个月了,一直没有找到解决办法,恳请各位有过仿真经验的能够为我解答疑惑,万分感谢!!!
发表于 2019-4-20 17:00:54 | 显示全部楼层
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