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查看: 9381|回复: 7

[讨论] 有无第一代,第二代,第三代半导体的技术分析及比较?

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发表于 2015-5-13 21:32:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有无第一代,第二代,第三代半导体的技术分析及比较?
发表于 2015-5-18 10:45:10 | 显示全部楼层
等结果
发表于 2015-6-14 21:04:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2015-6-14 21:09 编辑

刚看到这篇贴子。
怎么说呢,如何界定第一代、第二代、第三代半导体技术?

从材料分?接触过一种说法,就是单晶锗、硅石第一代,而后砷化镓、碲化铟,再是氮化镓和碳化硅是第三代。然而,砷化镓使用了这么多年,始终没有取代硅单晶,反而锗硅化合物倒是另有起势。事实是,单晶和化合物半导体基本是各司其职,井水不犯河水。而目前最火的石墨烯,是不是有取代硅单晶的能力,还没有定论。

而对于硅基集成电路的问题,目前的主要发展发方向还是在晶体管结构上做文章,比如FinFET和UTB-SOI。就此分代,肯定不合适。

从光刻工艺上。似乎可以划分为紫外光曝光、X射线曝光和电子束曝光,但用这个技术去界定整个半导体技术的“代”,是不是偏了点?



所以到目前为止,我还没有听过明确的半导体技术分代的说法。
发表于 2015-10-12 08:52:38 | 显示全部楼层
最近10年感觉还是SiGe占主要天下,毕竟CPU的市场还是最大的。GaAs的HEMT有一部分RF的用途,作为手机的收发端也还不错,GaN有望为下一代高频大功率领域服务。同时GaN有望成为新的power switchdevice,最近GaN 的PN diode 的breakdown提高好快...
发表于 2016-2-14 11:36:51 | 显示全部楼层
没有见过,好像是没有。
发表于 2016-4-20 12:03:31 | 显示全部楼层
你的问题是第一,二,三代半导体?
一代:Ge,Si,这个必用讲了,IC, 不同结构的devices。 CMOS, FinFET, UTB-SOI,用于IC,这是不同时代的技术,不同器件的工艺技术,bi-CMOS,用于高速Analog、Mixed-signal,LDMOS,功率器件, BDMOS 高压电路,等等。

二代:GaAs,微波和射频电路、功放等电子器件和光电器件。这个成熟。

三代:SiC, GaN为代表, GaN特性更好。优良的物理特性,高温,高效率。蓝光电器件,RFPA,和功率器件。

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发表于 2016-6-24 03:16:59 | 显示全部楼层
了解,谢谢楼主!!
发表于 2022-4-11 10:09:18 | 显示全部楼层
了解,谢谢楼主!!
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