关于LDO的一些问题

九段演员不是梦

1.LDO的电阻反馈网络中电阻的阻值怎么选取？是与负载电流的大小有关么？
2.LDO什么时候采用片内电容补偿，什么时候采用片外电容补偿？    在负载电流时10mA以下时候是不是采用片内电容补偿就可以呢？
3如果采用片外电容补偿，在spectre仿真时，片外电容用什么模拟呢？
4.我所设计的LDO的负载电流变化特别快，大约周期20ps左右的正弦电流，最大值6.8mA，最小值6.5mA。这样我的LDO的输出电压也是不断变化的，这个问题怎么解决呢？
感谢各位解答我的疑问，谢谢啦！

hszgl

1、和你的环路稳定性有关；
2、片内电容画不下去了就只有放片外补偿了；一般电流越大需要的补偿电容越小，10mA的片内不错应该是可以handle的。
3、可以用理想电容加估算的ESR进行模拟；
4、20ps。。。50g的响应速度的LDO，我还没见过。。。惭愧。。。

九段演员不是梦

回复 2# hszgl


    谢谢你给我的回复～  不好意思，还想具体问一下，那反馈网络里的电阻阻值大环路容易稳定还是阻值小容易稳定啊，这个阻值选取规则是什么样的呢？  
为什么输出电流越大反而加的补偿电容越小呢？  还有就是模拟片外电容时候您说用理想电容代替，那ESR电阻，也用理想电阻串联在电容那路上么？  谢谢啦！

languang1200

回复 1# 九段演员不是梦


    1,环路稳定和静态功耗
     2，看你的ldo类型，定位于capless还是片外补偿类型。
3， 电容串等效寄生电阻
4，高频大电流瞬态变话负载可能引起输出大ripple,通常采用片外补偿的话，电容通常比较大，uf级的，这样对抑制ripple有比明显的作用。

semico_ljj

hszgl

回复 3# 九段演员不是梦


   第一个问题，一般来说阻值越小、电流越大越容易稳定，但是静态功耗也越大。所以需要trade-off，具体的相关性，希望你能自己通过仿真总结。   第二个问题，仿真毕竟只是仿真，我们都是在用近似的、简化的模块去尽可能的逼近现实，但是和现实完全一致是不可能的。在这种程度上，能够说明问题就好。
   仿真实际是建模的思想，希望这种思想能够贯穿于你研究问题的任何方面。

cancan77

没啥参考 哈哈