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請問一個問題， 當我使用SILVACO軟體，用ATHENA模擬，在N type磊晶片上，打Imp推深後， 形成PN junction，其中A條件log X設10um，B條件log x設20um，其它的製程條件完全相同，結果用atlas模擬崩潰電壓時，兩條件的崩潰電壓卻不同 ?
請問原因為何?
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发表于 2015-3-23 13:58:47
