MOS管阈值电压损失的疑问

胖大海1991 · 发表于 2015-3-15 13:02:50

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本帖最后由胖大海1991 于 2015-3-15 13:04 编辑

根据以前教科书上的描述，对于一个NMOS，如果它的漏端接电源VDD，对源端进行充电，那么源端最大能充到的电压为Vgs-Vth。
对于smic 65工艺的nmos，vth约为0.4v，如果Vgs小于0.4v，那么源端能充到的最大电压时多大？

我在Hspice下画了如下电路：
1.2V是电源，0.2v是栅极电压，衬底接地，得到Q点的电压为0.35V左右。
有点不太清楚0.35V是怎么来的，特来求问。

alienwarexie · 发表于 2015-3-16 13:28:59

是那种mos

liuweihong1980 · 发表于 2015-3-23 15:17:08

是有点问题

[原创] MOS管阈值电压损失的疑问

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