体效应与沟道长度调制效应

qq1328454800 · 发表于 2015-3-6 10:05:35

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本人刚接触拉扎维这本书，在做课后习题时遇到以下问题，想请教给位大牛们。。。。图中VDD=3V Vx从0变化到1.5V 请画出Ix的函数曲线。。。

（1）（a）中因为存在体效应和沟道长度调制效应 γ和λ 不等于0 但在（b）（c）（d）中为什么 γ=λ=0 了，难道就不存在体效应和沟道长度调制效应吗？

（2）体效应的原因：源级与衬底的电压不同而引起了。。。。这样理解对吗？

(3)书上说当栅和漏之间的电压差增大时，实际的反应型沟道长度逐渐减小，就出现的沟道长度调制效应，那在什么情况下需要考虑沟道长度调制效应了？

jxjxhwx · 发表于 2015-3-6 16:55:19

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hehuachangkai · 发表于 2015-3-6 16:55:59

1、bcd中符号表示衬底和源接一起，这样子就不存在体效应，因此gamma为0；莱姆大为0，可能是忽略了沟道长度调制。
2、你的这种说法是对的。不过从公式上来看得话，衬底相当于背栅，就是和gate栅极作用相反的一个伪栅极，它和gate栅都对沟道反型程度有影响。
3、短沟道MOS中。准确地讲，是Vds在增大的过程中，由于沟道纵向（垂直于gate）电场的不均匀分布造成的，对应与bjt的俄雷效应。

qq1328454800 · 发表于 2015-3-6 17:08:34

谢谢大牛的回答。。。bcd是忽略了沟道长度调制效应但在真正是设计时，是不是只要MOS管处在饱和区都要考虑沟道长度调制效应的影响？

LICHUNNI · 发表于 2015-8-14 16:40:15

非常感谢，最近刷题也有相同的疑惑！

guodongmalatang · 发表于 2016-9-17 17:16:11

ee140里面讲的是，当L够长，还有电荷n够小时可以不考虑沟道长度调制效应。bcd中的Vds都比较小，因此沟道长度调制效应可以忽略。但是体效应为什么可以忽略我感觉我还是不清楚

guodongmalatang · 发表于 2016-9-17 17:18:08

回复 3# hehuachangkai

您好，我有一个疑问，为什么bcd中的符号表示衬底和源级连在一起，这里面有什么学问么，需要看哪本书呢，感谢您的回答

egil · 发表于 2017-3-26 07:18:30

学习学习

dashenma · 发表于 2017-4-26 10:35:02

1、bcd中符号表示衬底和源接一起，这样子就不存在体效应，因此gamma为0；莱姆大为0，可能是忽略了沟道长度调 ...
hehuachangkai 发表于 2015-3-6 16:55

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大牛解释的很棒！马上懂了！多谢！

cjmeetyou · 发表于 2017-4-27 11:05:11

回复 6# guodongmalatang

拉扎维的书上讲的比较清楚，衬底相当于“背栅”，当衬底和源极电压不一样大时，会吸引会释放一部分电荷，也就是影响反型层电荷的量。当衬底和源极电压一样大时，就不会影响电荷量，也就不会影响阈值电压

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