电流求和带隙基准PSRR怎么提高

greatdilly · 发表于 2015-1-26 15:10:25

回复 7# 九段演员不是梦

二阶温度补偿是这么接的么？

kwankwaner · 发表于 2015-1-26 16:12:23

回复 1# 九段演员不是梦

提高电流镜阻抗，电源对输出的影响就是输出的电流镜阻抗和电阻的分压关系，现在你DC的psR都这么低，还不到加电容的时候，先提高电流镜的L再说

hehuachangkai · 发表于 2015-1-26 16:54:19

cascade

九段演员不是梦 · 发表于 2015-1-26 17:38:18

回复 12# kwankwaner

谢谢您的指点！明天我试试看！可能是这个工艺的问题，现在用的折叠栅放大器增益就只有60DB.，也是PSRR这么低的原因，但才18DB低的有点离谱啊。。。我想用二级的放大器，又怕相位裕度太低，稳定性不够。苦恼ing...

bright_pan · 发表于 2015-1-26 17:47:34

回复 1# 九段演员不是梦

你运放电路什么样子的？运放的PSRR多少？管子PM0/1/2/3是否在饱和区呢，L可以加大点试试。

liuycto · 发表于 2015-1-26 17:55:27

你是测试还是仿真？

kwankwaner · 发表于 2015-1-26 20:54:09

回复 14# 九段演员不是梦

vout在环路外面，你调节运放增益效果不大，还是从电流源着手

九段演员不是梦 · 发表于 2015-1-26 22:27:34

回复 17# kwankwaner

感谢您对我的帮助！我真的很需要~ 我在一篇文章里看到和我用一样电流求和模型的带隙基准结构，文章中对于带隙PSRR的计算公式如图所示，图中计算结果表明低频下，带隙基准的PSRR主要由运放增益决定。他采用的结构和我的一样，似乎运放增益是PSRR很重要的因素。您帮我看看呗~ 谢谢啦，感激不尽！！（他推导中的A、B点应该是电路图中的X、Y点）论文是：基于40nm工艺的CMOS带隙基准源研究与设计

公式推导

电流求和带隙结构

lwjee · 发表于 2015-1-27 09:47:00

回复 10# 九段演员不是梦

这是仿真结果对吧。我认为不是调什么参数能解决的，感觉是电路没有正常工作，即使你的电流源L 很小PSR也不止这些。建议在AC仿真时，看看DC，你可以贴张DC point 的图吗？

lwjee · 发表于 2015-1-27 09:48:20

1.8V电压，输出1.2V，不建议用current model 结构。这种是用在低电压情况下。

[求助] 电流求和带隙基准PSRR怎么提高

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