CMOS斯密特触发器的设计

corball · 发表于 2015-1-19 22:27:03

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本帖最后由 corball 于 2015-1-20 13:19 编辑

CMOS斯密特触发器的滞回特性在很多场合很有用的，但是和反向器不同，斯密特有3个NMOS管和3个PMOS管组成，那么如何来设计这些器件的参数，也就是宽长比（W/L）呢？对于1um以上的场合，本文附了一篇经典的文献，并且把计算过程整理成Excel，用户只需在Excel中输入相应的工艺参数和部分必要的器件参数，Excel工具就自动给出这6个晶体管的宽长比。这个Excel表格时可以用WPS这样的工具的，计算同样有效。供各位参考。

00260219-SchmitDesign.pdf (430.96 KB, 下载次数: 2418 ) Excel工具中标注比较丰富，用户可以根据图例的颜色设置相应的参数。

yuynahong · 发表于 2015-2-19 18:40:35

顶楼主

semico_ljj · 发表于 2015-2-20 17:34:12

afujian · 发表于 2015-2-26 10:16:53

Good！

semico_ljj · 发表于 2015-2-26 14:54:13

自己去试一下就可以

麒麟 · 发表于 2015-2-26 19:19:36

好资料，省事，谢谢楼主

jiajie109 · 发表于 2015-2-27 09:07:38

谢谢，非常好！

bohaiyujialing · 发表于 2015-2-27 12:31:10

下载下来试试看~~~

tfjim · 发表于 2015-2-27 12:53:34

回复 1# corball

slq402 · 发表于 2015-2-27 20:21:45

谢谢分享

[原创] CMOS斯密特触发器的设计

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