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楼主: zgf85644958

[讨论] 天线效应

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发表于 2017-10-28 23:27:35 | 显示全部楼层
另外,按照楼上的解释,向下跳线岂不是一点作用都没有咯?并且还额外的引入了via的寄生电阻。是吗?
发表于 2017-11-6 14:53:13 | 显示全部楼层
有一种工艺里面检查天线效应的机制是Metal(M1 ,M2,M3...)与所连到的mos的gate的面积之比不能大于一个值,如果大于这个值,工具就会报错。
发表于 2018-12-20 09:48:28 | 显示全部楼层
哪位大佬解释一下 在哪一步有放电的过程?
发表于 2018-12-20 11:03:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 yanpflove 于 2018-12-20 11:13 编辑

回复 13# caoshujia

《模拟电路版图的艺术》 P120~P121
在此只贴出原因和影响分析,防护措施请自查。
(1)刻蚀过程,多晶或金属线(侧壁)吸附电荷,电荷流向栅或扩散区,用周长天线比评估;
(2)去胶过程,多晶或金属线(表面)吸附电荷,电荷流向栅或扩散区,用面天线比评估。

antenna

antenna
发表于 2019-4-23 17:55:37 | 显示全部楼层


模拟版图小白 发表于 2017-10-28 23:27
另外,按照楼上的解释,向下跳线岂不是一点作用都没有咯?并且还额外的引入了via的寄生电阻。是吗? ...


当然不会一点用没有了,分情况的假如一条接到gate的走线200um(M1 50um,M2 150um),
假设用最小线宽的普通走线长度超过120um积累的电荷就有击穿栅氧的风险,那么将150um中的至少30um换成M1即可解决M2上抓出的ANT问题,当然要同时保证直接接到gate的M1连续走线长度不要超过报错上限120um
发表于 2020-8-31 18:19:32 | 显示全部楼层


安庆一枝花 发表于 2017-10-19 09:06
回复 8# analogg
metal 1 要到一定长度积累的电荷才会产生击穿,如果在不到击穿电荷产生的长度就用去离子 ...


接力赛好生动幽默哈哈哈哈哈
发表于 2021-9-18 10:13:03 | 显示全部楼层


duke_wang 发表于 2015-1-13 16:46
回复 5# zgf85644958


支持
发表于 2021-10-9 20:59:49 | 显示全部楼层
IMG_20211009_205446.jpg IMG_20211009_205821.jpg
发表于 2021-10-13 16:23:27 | 显示全部楼层


模拟版图小白 发表于 2017-10-28 23:16
这个问题问出了我的心声,支持一个!向上跳线我是懂了。不过洗掉电荷是怎么一个操作求大神给个形象的解释。 ...


foundry每生产一层Layer就会去清理这一层layer上面的电荷
发表于 2021-10-13 16:24:49 | 显示全部楼层


模拟版图小白 发表于 2017-10-28 23:27
另外,按照楼上的解释,向下跳线岂不是一点作用都没有咯?并且还额外的引入了via的寄生电阻。是吗? ...


向下可以的,每生产一层layer会去电荷
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