GaN 和 GaAs III-V 器件测量与分析

zaelste

作为III-V族器件, GaAs 和 GaN广泛用于微波设计, 然而, 由于半导体厂商给出的PDK和实际应用不匹配,或者说真正的LAYOUT设计和原来的器件有点不同,在几十个GHZ下面, 设计都会功亏一篑, 所以, 好的TESTKEY设计, 准确测量和好的模型对设计非常重要.附件介绍了测试所用的设备和各种模型的评估, 希望给大家有个初步的认识.
GaAs and GaN related service for eetop.pdf (1.02 MB, 下载次数: 524 )

2015-1-12 15:14 上传

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III-V器件测量与模型

kglu

谢谢楼主分享

liuleng999

建模吗？？有专业的建模公司

zaelste

回复 3# liuleng999


    是的，公司有专门的管芯和电路测试设备，也有器件建模的咨询，特别针对III-V器件的，关于公司网站等具体信息请参考贴子下面的签名部分，公司名字叫弘模半导体技术有限公司。

rocksyh

好资料，多谢了!!!

zaelste

回复 5# rocksyh

2015年6月10日, 我们会在上海张江举办 RFCMOS, III-V(GaAs, GaN) 的器件模型会议, 6月11-12日, IC-CAP MODELING HANDBOOK作者, 德国著名专家FRANZ SISCKA博士给大家上两天的器件测量和模型的课, 有兴趣可以参加. 具体信息在公司的网站, 在本信息的签名栏中.
   Compact modeling workshop and training course (10th, June, 2015)

Development of High Performance Monolithic Spiral  Inductive Devices: from the Layout Design to the Model
Dr. Raphael Valentin, XYTECH Consulting Founder&Technical Director


Modeling of Transistors in CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits
Prof. Yan Wang， Tsinghua University


Simulation and Analysis of Single‐Event Effects and Soft Errors
Dr. Shen Chen， CTO of Cogenda


PSPSOI Model solution for RF‐SOI Technology
Sunny Zhang,Department Manager of HHGrace


Advanced RF Device Modelling cum IC Validation
Prof. Fujiang Lin，University of Science and Technology of China


S‐parameter and Non‐linear RF modeling
Dr. Franz Sischka, CEO of Sisconsult & XMOD consultant




Device Measurement and Verification (11-12th ,June 2015)
By Dr. Franz Sischka, CEO of Sisconsult & XMOD consultant


Theme 1: DC Measurements
• Challenges
• Data Verification
Theme 2: CV Measurements
• Applying LCRZ Meters
Theme 3: S‐Parameter Measurements
• Direct Interpretation of S‐Parameter Measurements
• Guide for Verified S‐Parameter Measurements
Theme 4: 1/f Noise
• Measurements and Data Verification
Theme 5: Parameter Extraction Techniques
• Regression Analysis
• Visual Parameter Extraction
Theme 6: Fundamentals of Device Modeling
• Diode (DC ‐> CV ‐> S‐parameter ‐> nonlinear RF)
• HEMT Transistor Modeling (Angelov)
• Passive Device Modeling: model development
• based on measurement results

zaelste

回复 5# rocksyh

  谢谢, 多注意我们在6月份的活动,关于 RFCMOS 和III-V的.

song100

GaAs 和 GaN的设计我们都是用Foundary提供的PDK来做设计，频率从几个G到最高100GHz的设计都没问题啊，经过多轮的流片经验来看模型已经是很准确的了，而且保证模型准确本来就是Foundary很重要的工作吧，不然谁用他们的工艺线。

zaelste

回复 8# song100
如果是大信号, 或者器件BIAS 和半导体厂的MODEL 不一致, 你看一下是不是半导体厂的模型还很准.

LNA 设计这块, NOISE 模型 75-100GHZ, 你看一下准不准. 我们接的很多项目是国内顶尖的设计, 他们确实碰到了模型的问题.

li90ying

MMIC  好高大上的东东