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如题,最近老板想做亚阈值低功耗数字电路,好像目前还没有厂商提供亚阈值数字标准单元库,于是老板打算让我去用hspice 以及自己写脚本,提取标准单元低电压下的时序功耗信息,按照lib文件的格式,制作亚阈值库 (可能是一系列,比如0.3v的库 0.4v的库),感觉太有难度了。。。
我在论坛上了解了一下,发现Cadence 公司的ELC 和 synopsys 的NCX, siliconsmart 等工具可以对标准单元库进行 re-characterization,
现有两个问题:
(1) 这些工具可以在 任何电压 任何温度 任何工艺角 进行re-characterization 吗 ?
(2) 考虑到 CMOS电路亚阈值区对PVT波动非常敏感,也就是亚阈值标准单元延时对PVT波动很敏感,那么重新做出来单元库延时功耗信息的参考意义大不大? 或者有没有其它方法,对PVT波动进行建模,以期更好的预测电路的延时和功耗?
请教有相关经验的大神,小弟万分感谢 |
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