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楼主: timesmile

[讨论] pad下方衬底的隔离问题

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发表于 2015-1-14 14:25:38 | 显示全部楼层
标准pad一般有RC——clamp,GGNMOS、GGPMOS、二极管、三极管等电路
发表于 2015-1-14 14:26:38 | 显示全部楼层
回复 10# mk2003


    这类pad带来的电容有没有0.1pF?
 楼主| 发表于 2015-1-14 15:00:09 | 显示全部楼层
回复 20# hszgl

seal ring接到本地必须要断开啊
seal ring可以断环吗 如果我有N个地,是不是可以把seal ring断成N个? 感觉好像不行啊


有人把seal ring断成N个吗
发表于 2015-1-14 19:52:34 | 显示全部楼层
本帖最后由 mk2003 于 2015-1-15 10:59 编辑

回复 22# 上海大学


   没吧,后防出来接近0.2p
发表于 2015-1-15 02:06:10 | 显示全部楼层
回复 23# timesmile


    单地就不用断。多地,那接到电流最大的地上。
发表于 2015-1-15 09:03:15 | 显示全部楼层
现在pad都归在模拟的人来搞了
发表于 2015-1-15 09:54:40 | 显示全部楼层
回复 24# mk2003


    0.2pF?
发表于 2015-1-15 10:06:48 | 显示全部楼层
回复 23# timesmile


    可以断成N个,比如PA在pad处断,但整体一圈还是金属连一起的,

要注意接你芯片的大地——数字地,不要接比较干净的模拟地。
发表于 2015-1-15 10:10:33 | 显示全部楼层
回复 11# hszgl


    的确,高频是应该怎样
 楼主| 发表于 2015-1-15 12:34:14 | 显示全部楼层
回复 25# hszgl


   多地接到电流最大的,有什么好处?
之前都是接到down bonding最多的地
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