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[求助] 关于STI的问题

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发表于 2015-1-3 11:15:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们知道工艺里面,打WELL之前先要做STI隔离。那么问题就来了,STI挖洞的时候,是用哪一道MASK呢?这样要单独给一道MASK吗?还是用哪道MASK计算一下来得到啊?
最近脑子有点痒,想把一些问题搞清楚一点,不好意思烦劳大家了。
可以都来讨论一下。
 楼主| 发表于 2015-1-3 12:06:04 | 显示全部楼层
我自己的理解,不知道对不对。
STI区域就是OXIDE区域取反运算得到的?
发表于 2015-1-3 14:22:03 | 显示全部楼层
STI跟WEll没有关系,是od mask 的反板,不需要额外的mask
 楼主| 发表于 2015-1-3 14:43:06 | 显示全部楼层
回复 3# fuyibin

谢谢回复!还有一个问题,也没搞太明白。
举个例子,在TSMC 0.35UM的工艺中,有两种器件3V和5V的MOS,thin OX和thick OX分别对应的MASK是OD和OD2.看他们的design rule, OD和OD2 的tone都是dark.
CMOS的工艺一般是这样,先整个active区生长一定厚度的OX,然后将3V的区域的OX全部去除,再一起回炉长OX的到目标值。
我的问题是,既然OD 和OD2都是dark的,也就是不透光的区域,那么长OX的时候,中间步骤是要把OD的区域定义出来蚀刻掉的,按道理又应该是透光的啊?应该是clear才对?
简而言之一句话,OD和OD2为什么是dark的,不是clear?
 楼主| 发表于 2015-1-3 14:45:41 | 显示全部楼层
回复 4# analogg


   上面的问题,体现在版图上就是,3V和5V的MOS,分别花了OD和OD2 layer.从这个角度讲,好像也应该是clear的。
这个问题困惑了
发表于 2015-1-3 20:22:21 | 显示全部楼层
要搞明白的是制程第一步就是用 od mask来确定 active 区域和sti 区域,不是active od的区域都是要做sti的。所以第一步光照就是把od 区域盖住,把剩下的silicon挖掉,回填sio2做出sti。
发表于 2016-3-26 16:04:05 | 显示全部楼层
thanks for sharing
发表于 2020-11-19 10:23:09 | 显示全部楼层
学习了 多谢

发表于 2020-11-19 19:26:39 | 显示全部楼层
有大佬来解答不呢
发表于 2022-8-11 09:38:31 | 显示全部楼层
谢谢分享
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