设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于mos管中等反型区模型的问题

发新帖

查看: 3107|回复: 1

[求助] 关于mos管中等反型区模型的问题

发表于 2014-12-2 22:46:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

今天看了伯克利EE240,里面说中等反型区（moderate inversion）难以建模，然后还给了个EKV模型，瞬间就迷糊了。请问：
中等反型区是不是就是线性区啊？如果是的话，那线性区公式也不是EKV模型的公式啊，拉扎维上面不是有推倒的么？

我承认我技术很菜，希望大牛们多多指点，不要见笑

伯克利, 技术, 模型

相关帖子

回复

发表于 2014-12-3 18:13:20 | 显示全部楼层

中等饱和区是VOD在150mV以内的区域，这是最饱和的区域，离线性区差远了。那个模型一本书中讲过，一般做项目这些模型什么的不用太care，和实际应用没太大关系

EETOP创芯人才网简历投递入口

回复支持反对

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 01:18 , Processed in 0.032887 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表