T厂PDK的阅读出现障碍，求助

Johnson2011 · 发表于 2014-11-26 20:23:47

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T厂PDK文件中给出了mos器件的工艺角偏差会给出：vth_lin/vth_sat/vth_gm/Idlin/Idsat/Ioff/Isoff等，请问都是什么意思呀

Johnson2011 · 发表于 2014-11-26 20:28:41

版主来吧，传授一些经验

victor0o0 · 发表于 2014-11-26 21:31:37

以.13um core NMOS为例：
Vthlin is extracted by sweep Vgs@ Id = 0.1uA*W/L, Vds = 0.05V;
Vthsat is extracted by sweep Vgs @ Id = 0.1uA*W/L, Vds = 1.2V;
Idlin is measured @ Vds = 0.05V, Vgs = 1.2V;
Idsat is measured @ Vds = Vgs = 1.2V;
Ioff is measured @ Vgs = 0, Vds = 1.2V...

Johnson2011 · 发表于 2014-11-27 08:13:15

回复 3# victor0o0

多谢分享，vth-gm就是我们常用的量吧，在0.13um工艺下，vth-lin和vth-gm有没有很大的偏差呢？

xxmule · 发表于 2014-11-27 09:47:41

多谢分享，

回复 3# victor0o0

tedious · 发表于 2014-12-13 05:42:42

回复 3# victor0o0

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cws1228 · 发表于 2021-4-1 14:23:02

victor0o0 发表于 2014-11-26 21:31
以.13um core NMOS为例：
Vthlin is extracted by sweep Vgs@ Id = 0.1uA*W/L, Vds = 0.05V;
Vthsat is ext ...

谢谢！
不过Vth-gm是如何定义的呢

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