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cc921008 · 发表于 2014-11-15 09:34:44

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为啥右下角两个管子电流不相等？ QQ截图20141115094715.png

fuyibin · 发表于 2014-11-15 11:15:51

thin oxide gate leakage
core device can not be applied in 3.3V domain

cccfeb · 发表于 2014-11-15 11:34:55

用什么工具画的？

daly1986 · 发表于 2014-11-15 19:52:19

你的NM7管body电位700多mV，虽然连接了gnd但貌似不是global 0V，应该是NM7管BS寄生PN结正向漏电

cc921008 · 发表于 2014-11-17 14:25:31

回复 2# fuyibin

thx

jxyang1005 · 发表于 2014-11-17 15:02:44

漏电流存在

lzyh · 发表于 2014-11-17 15:03:40

thin oxide gate leakage
core device can not be applied in 3.3V domain

liuyingpz · 发表于 2014-11-17 15:35:43

你的MN7 bulk端的gnd是700多mv。

kwankwaner · 发表于 2014-11-17 16:13:48

回复 2# fuyibin

是吗？p管怎么没漏？

fuyibin · 发表于 2014-11-17 17:15:00

回复 fuyibin

是吗？p管怎么没漏？
kwankwaner 发表于 2014-11-17 16:13

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the NM7 body floating is a issue. But thin oxide also has gate leakage. At least the gate leakage is a potential issue.
By the way, the difference between pmos and nmos gate leakage is not a strange thing.
I can show you the result of TSMC65GP.

gate size 5u/4u*5=100um^2
gate leakage(nA)	pch	pch_lvt	pch_hvt	nch	nch_lvt	nch_hvt	nch_na	nvar
TT_1.1V_65C	6.9	7.01	6.96	56.95	59.29	59.8	56.88	69.59

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