非对称高压LDMOS N管的S和B必须接一起么？

yjie62 · 发表于 2014-11-5 10:54:44

同意楼上

Rucas · 发表于 2014-11-6 10:25:36

回复 8# istart_2002

这才多大的压差啊？

耐压值应该是有工艺决定的吧。

再说你不担心引入衬底噪声？？

li5452859 · 发表于 2014-11-6 15:34:47

一般不都是Drain 耐高压么？

大海wdh · 发表于 2014-11-6 23:04:11

S和B接一起可以防栅锁效应，跟耐压没关系啊

tanghaixia · 发表于 2014-11-7 11:12:12

本帖最后由 tanghaixia 于 2014-11-7 11:31 编辑

可以接不同的电位的。和低压器件一样。就看foundry有没有这样的结构了。但是面积会比s与B做成butting的形式要大一点。因为S与B之间需要隔很长的氧化层防止S和B之间漏电。看下面的foundry给的剖面图。
hv nldnmos.png

zjwumei · 发表于 2014-11-10 01:13:14

同意楼上的看法，不一定要接同电位，不一定要接最低电位

huangniuniu · 发表于 2015-11-17 10:25:07

不同工艺下，可以分开，但是分开后，DIE SIZE 更大，

6275849@qq.com · 发表于 2016-3-10 17:00:43

如果LDMOS的S端既有N注入也有P注入（在N注入挖洞进行P注入），说明S，bulk坐在了一起无法分开。

我力可 · 发表于 2016-3-10 17:38:59

学习学习

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