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楼主: lasang123

[求助] 关于MOS工作区域的划分?

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发表于 2021-8-24 10:47:34 | 显示全部楼层
看到了一个这方面应用的电路图,不知道他这个弱反型和强反型是如何偏置的 图片.png
发表于 2023-8-23 13:46:01 | 显示全部楼层
学习
发表于 2024-4-19 11:50:06 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2014-10-21 17:52
回复 2# taohuachangkai


老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100mv左右?
发表于 2024-8-4 08:57:00 | 显示全部楼层


啊随随 发表于 2024-4-19 11:50
老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100m ...


弱反型(亚阈值)与强反型,过驱动电压VGS-VTH的边界大概在80mV。小于80mV,可以认为开始进入弱反型。

VGS-VTH=-25mV,是目前我们课题组选择弱反型最小过驱动电压。再小,W值太大了!


zwtang
2024/8/4

发表于 4 天前 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 4 天前 | 显示全部楼层


啊随随 发表于 2024-4-19 11:50
老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100m ...


亚阈值区VGS不是小于阈值的吗
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