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楼主: lasang123

[求助] 关于MOS工作区域的划分?

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发表于 2021-7-30 18:09:00 | 显示全部楼层


taohuachangkai 发表于 2014-10-21 17:07
弱反型区是亚阈值区,指数率IV特性。不是饱和区。
随着反型强度增加,管子进入线性区;
再之后进入平方率 ...


我看sansen书上的第一章,划分饱和区的标准只有Vds>Vgs-Vt,然后再讨论弱反型区、强反型区(平方律区)、速度饱和区(说法上貌似很容易让初学者混淆)。好像也确实没什么区别?只要Vgs<Vt,就是亚阈值区。之后栅极电压增大,线性区和饱和区的区别只在于Vds和过驱动电压之间的关系。
发表于 2021-8-24 10:47:34 | 显示全部楼层
看到了一个这方面应用的电路图,不知道他这个弱反型和强反型是如何偏置的 图片.png
发表于 2023-8-23 13:46:01 | 显示全部楼层
学习
发表于 2024-4-19 11:50:06 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2014-10-21 17:52
回复 2# taohuachangkai


老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100mv左右?
发表于 2024-8-4 08:57:00 | 显示全部楼层


啊随随 发表于 2024-4-19 11:50
老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100m ...


弱反型(亚阈值)与强反型,过驱动电压VGS-VTH的边界大概在80mV。小于80mV,可以认为开始进入弱反型。

VGS-VTH=-25mV,是目前我们课题组选择弱反型最小过驱动电压。再小,W值太大了!


zwtang
2024/8/4

发表于 2024-11-20 14:33:46 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2024-11-20 15:54:05 | 显示全部楼层


啊随随 发表于 2024-4-19 11:50
老师,您好,饱和区又可以分为弱反型(亚阈值),这里vgs是不是比vth大一些呢,只不过大的幅度比较小?100m ...


亚阈值区VGS不是小于阈值的吗
发表于 2025-3-27 17:01:49 | 显示全部楼层
学习学习
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