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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端讨论区 › 标准单元这样画法可以吗
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楼主: zhanggd

[解决] 标准单元这样画法可以吗

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leonling933
发表于 2014-9-18 13:55:15 | 显示全部楼层
未命名.bmp 如果只说弯曲nw  SN  SP那自然是没什么问题，很多FAB提供的STDCELL也会这么干啊
图中是个ISOCELL
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fb_hou
发表于 2014-9-18 13:59:10 | 显示全部楼层
DRC过了就可以啊。
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kopzinc
发表于 2014-9-18 15:31:59 | 显示全部楼层
回复 7# zhanggd


    哈哈,我没做过低功耗的单元库，也不是很懂！以上只不过都是我的疑惑而已。其实你即使为了面积考量，也可以在上下方的电源地加接触啊，长条型的不影响面积。我只是疑惑没有体电位，它的噪声性能会不会变差，这点想和你交流下--- 至于sp sn 阱的弯曲，以我自己的经验是可以的，至少对于后端流程没有影响。不影响使用，只要注意1/2规则拼接就好。
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zhanggd
 楼主| 发表于 2014-9-18 16:09:05 | 显示全部楼层
回复 13# kopzinc


   foundry会提供tap cell的距离，在满足距离的情况下，应该是没有问题的，但是肯定没有每个单元都带体接触的性能好，IC设计就是这样，总要有取舍的，这是我的理解，欢迎指正
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zhanggd
 楼主| 发表于 2014-9-18 16:10:59 | 显示全部楼层
回复 11# leonling933

谢谢，明白了，因为接触的比较少，这样画的没怎么接触过。
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icfbicfb
发表于 2014-9-18 17:20:10 | 显示全部楼层
drc，latch-up过了就行啊，没啥不行的
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papertiger
发表于 2014-9-19 16:25:12 | 显示全部楼层
我以前做过库，这样是没问题的。
而且就算7tracks的库，比如bufx16 什么的，SP，SN，NW 也是会中间弯曲的。

我奇怪的是NNAND标准是三管串联，你居然分开了。感觉上这个NAND3X1 面积还可以减少20% 啥的。
明显非正规做库出身的啊。
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zhanggd
 楼主| 发表于 2014-9-19 22:18:36 | 显示全部楼层
回复 17# papertiger


   这样画可以就好，谢谢了
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pennyxm
发表于 2017-11-28 11:45:57 | 显示全部楼层
thank you very much!
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lightpisces
发表于 2018-5-25 17:27:04 | 显示全部楼层
DRC可以过就行，不过由于具体使用的时候，是单元相互拼接的，所以要跑一个special的drc确保没violation
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