[转]几道analog面试题

Mr_adams · 发表于 2009-7-20 22:28:35

关于noise pmos比nmos小，我的理解是因为迁移率低的原因。
如果我们考虑depletion nmos的话，它的noise比pmos更小，这个原因是什么？
是不是因为沟道的形成会使表面界面态得到屏蔽？

niulinux · 发表于 2009-8-1 00:21:35

完全看不懂！呵呵

chong760 · 发表于 2009-8-3 09:29:54

基础扎实才能走的远啊

alasliu · 发表于 2009-8-5 15:24:07

thank you

zfriend · 发表于 2009-8-5 21:57:13

好题目,好回答.
还要继续学习呀.

lbingbing · 发表于 2009-8-6 10:35:33

就像研究生面试一样，问的也很基础

luxiaohong · 发表于 2009-8-8 15:27:26

嗯小弟准备找一份ic设计工作，希望多见些这样实在扎实的问题和帖子，这里能答一部分，显然是不够的，这就像考试后知道自哪些东西没掌握好一样谢谢楼主了

luxiaohong · 发表于 2009-8-8 15:30:13

pmos噪声低应该和做在阱里有关

luxiaohong · 发表于 2009-8-8 15:47:10

对匹配来说
电流镜来说过驱动电压大些
差分对过驱动电压小些

所以降低offset也要降低差分对过驱动电压

impulse · 发表于 2009-8-8 17:17:10

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