MM ESD 正負pulse 兩者失效之關聯性

yuray12

想請教各位一個問題：

1. 做MM ESD "VDD-VSS"測試時，是否有遇過 "VDD(-) to VSS" fail 之經驗。
   
以目前遇到的例子為0.13um 1.2V之元件fail，而若"esd protection circuit"已經使用diode，則在負緣測試時，此diode為順偏，理應約0.7V即可導通，無法理解會無法保護內部電路之原因?

2. 另外同時有個現象，所有fail之 VDD-VSS pin，皆為(+)(-) 同時fail，這樣的現象是否有助於判斷結果與原因呢? 謝謝。

yuray12

richardzzz

在BCD工艺里遇到过 1。你的这颗芯片的VDD-VSS之间有什么器件？ 在MM多少V死掉的？

yuray12

在BCD工艺里遇到过 1。你的这颗芯片的VDD-VSS之间有什么器件？ 在MM多少V死掉的？
richardzzz 发表于 2014-9-3 11:36

                               
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process: CMOS
MM200V fail
VDD-VSS間有 GCNMOS --> rc+delay cell+nmos

libinphy

1) 目标是过多少V?
2) 死的芯片有做FA吗? 是死在内部电路还是你的clamp?
3) 单独打VDD和VSS是不是就200V死了? 你这个clamp是自己做的还是fab给你提供的?

yuray12

1) 目标是过多少V?
2) 死的芯片有做FA吗? 是死在内部电路还是你的clamp?
3) 单独打VDD和VSS是不是就200V死 ...
libinphy 发表于 2014-9-16 15:18

                               
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   感謝回覆。ESD cell是fab提供的，spec是有過MM200V & CDM500V
1. MM目標是+/-200v，CDM則是+/-500V
2. FA結果是在內部電路，Clamp 都沒事。
3. 各種模式都有完整打過，僅有死在VDD-VSS(+/-)

clement1105

可將failed的sample去做FA, 像是用EMMI做亮點測試, 看fail的位置在哪, 會否有電路不正常串接的reliability issue或者將foundry提共的pad乘二, 並double bound.

yuray12

可將failed的sample去做FA, 像是用EMMI做亮點測試, 看fail的位置在哪, 會否有電路不正常串接的reliability  ...
clement1105 发表于 2014-9-17 18:17

                               
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因為是multi-power domain，所以其中有pad多 pad少，bond-wire多或少，皆fail，因此應該不是pad or wire 數目的問題。

請問您提到電路不正常串接的問題是什麼意思，可否進一步說明?

此外有作FA，初步發現問題出現OPamp  2nd stage 靠近vdd的pmos上，但不知如何解決。

tq0010c

请问Chip是刚刚死在200V吗？

yuray12

请问Chip是刚刚死在200V吗？
tq0010c 发表于 2014-9-18 07:44

                               
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YES~ 有作實驗 100V, 150V, 200V~ 因此是死在200V

math123

因为MM模式测试的独特振荡电流波形吧，VDD-VSS测+200V也好，-200V也好，都要过正负向电流，所以都会打坏。所以每次有正电流从VDD流向VSS都要损坏