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[求助] NMOS LDO,动态零点补偿,极限phase仅一二十度,向高手请教

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发表于 2014-9-2 15:43:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 baby02204270 于 2014-9-2 15:56 编辑

各位大牛好:

背景:
     需要做一个NMOS pass transitor的LDO,pass transitor power 2.3V, LDO output 1.8V,error amplifier power 5V;
LDO 带loading能力要求400mA, LDO 空载静态功耗要小,大概20uA-30uA,LDO dropout voltage要小,typical 200mV,die size要小;
LDO output接10uF电容,对load transient要求高,要求load transient 要尽可能小,目标设计值50mV;

问题:
目前nmos ldo最难设计的就是补偿了,问了一些朋友,主要是采用美国一篇专利的技术:引入一个动态的零点,从空载到重载400mA
这个动态零点跟随loading变化,消除次主极点;但因为无法精确跟随,只能补偿个大概其,最坏的情况出现在两个主次极点重叠的区域(loading大概10mA左右吧),此时零点就放在重叠的区域,把最worst 的case好好补一补,此时tt corner phase只有30度左右,极限corner更差,只有一二十度;朋友就采用这种技术,但芯片回来测试没有问题,还成功量产卖了几百K了;

请教:
向高手请教有没有NMOS LDO动态零点补偿专利(专利找不到了)或者实际量产成功的paper或者资料;
还有这种要求的LDO,phase极限情况只有十几度,对量产而言还是有风险的,不知道有没有更好的方法满足背景中的LDO要求。
发表于 2014-9-3 09:30:22 | 显示全部楼层
动态补偿不可能做到那么准 我做过1uF 10uF最差30度差不多了
发表于 2014-9-3 09:37:57 | 显示全部楼层
NMOS输出电容负载应用一般范围比较大的,你动态补偿都能兼顾吗?还有这么低的功耗,想要做50mV的动态响应估计有点困难啊
 楼主| 发表于 2014-9-3 10:17:27 | 显示全部楼层
确实,动态补偿不可能太准,phase最坏二三十度,整个full loading总有一个中间端phase很差。
load transient要越小越好,具体指标多少,客户也没提,就算50mV也非常小了,比较难多。
请问2楼,3楼,有没有动态补偿的专利或者paper,google patent登录不了,也没法找
发表于 2014-9-3 12:46:40 | 显示全部楼层
求相关论文
发表于 2020-7-24 10:56:00 | 显示全部楼层
同样的问题,求解决答案
发表于 2022-6-8 19:44:04 | 显示全部楼层

同样的问题,求解决答案
发表于 2024-10-12 11:23:43 | 显示全部楼层
phase margin about nmos ldo
发表于 2024-10-15 14:14:02 | 显示全部楼层
tt corner phase只有30度左右,极限corner更差,只有一二十度;朋友就采用这种技术,但芯片回来测试没有问题,还成功量产卖了几百K了;
发表于 2024-10-15 14:15:19 | 显示全部楼层
这你都能信?把理论当摆设的吗?
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