请问片内LDO结构哪种好？10mA负载2nF电容

bitcat · 发表于 2014-8-22 14:01:41

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本帖最后由 bitcat 于 2014-8-22 14:23 编辑

想做一个片内的LDO，0~20mA负载 0~2nF电容 5.5-1.62V 降压到1.2V请教各位大神，哪种结构比较靠谱。主要考虑省面积，谢谢！

semico_ljj · 发表于 2014-8-22 14:51:48

20mA负载不大，相对简单。

bitcat · 发表于 2014-8-25 08:01:57

回复 2# semico_ljj

一般的pmos加一级运放能搞定么？

lsh0211 · 发表于 2014-8-25 13:05:34

回复 semico_ljj

一般的pmos加一级运放能搞定么？
bitcat 发表于 2014-8-25 08:01

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可以搞定，最多你再增加一个零点

lwjee · 发表于 2014-8-25 13:31:26

回复 2# semico_ljj

主极点放在哪比较合适？

bitcat · 发表于 2014-8-27 14:49:45

可以搞定，最多你再增加一个零点
lsh0211 发表于 2014-8-25 13:05

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还是说有别的结构可选？

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