为什么nmos的vth受器件length的影响比pmos管大？

scy8080 · 发表于 2014-8-21 13:41:59

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本帖最后由 scy8080 于 2014-8-21 13:46 编辑

为什么nmos的vth受器件length的影响比pmos管大？大概有6～10倍的差值。是因为nwell工艺的影响吗？

kalwinlue000 · 发表于 2014-8-21 14:00:41

还可以啊。。。

fuyibin · 发表于 2014-8-21 14:12:44

没有感觉差这么大，应不超过一倍吧
nmos和pmos的工艺参数不同，比如 doping不一样

zaelste · 发表于 2014-8-21 16:12:32

不能这么讲, 有可能不同的L范围, 变化量有区别, 这和器件采取SURFACE CHANNEL, BURIED CHANNEL, 有没有HALO IMPLANT, TIP IMPLANT, STI CORNER 的形状等等,工艺参数密切相关的.

scy8080 · 发表于 2014-8-22 13:53:56

这是我放真到的，smic 0.18um 3.3v 器件的特性。

semico_ljj · 发表于 2014-8-22 14:57:50

3.3v 器件变化有这么大？
你仿真的方法呢？

scy8080 · 发表于 2014-8-22 15:37:51

本帖最后由 scy8080 于 2014-8-25 15:09 编辑

扫描参数从0.6u到2u，查看.op结果vth值。

beyond某人 · 发表于 2014-8-23 09:21:58

回复 7# scy8080

我一般都是二极管连接然后加个理想的电流源

lishiliang · 发表于 2014-8-23 14:31:41

nmos的迁移率比pmos大

I=0.5*uCox(W/L)(Vgs-Vth)^2*(1+入Vds）

由于un>up，所以其他参数相同时，nmos受Vds影响大~~

个人意见，欢迎指正。。。。

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