在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1985|回复: 1

求基于SMIC 180nm 器件注入、结深等物理参数

[复制链接]
发表于 2014-8-12 23:06:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
各位大神:
           我想做基于SMIC 0.18um工艺下的器件仿真

           哪位大神能告诉我SMIC 0.18um共一下,器件体区、poly、源漏注入和结深等相关的物理参数是多少!

            小弟不胜感激!
发表于 2014-8-21 19:29:23 | 显示全部楼层
帮顶一下 。。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 00:16 , Processed in 0.016144 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表