关于DCDC功率MOS的损耗

暮若幽荷 · 发表于 2014-7-7 17:31:44

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求教各位做过的大神，DCDC中，功率MOS的损耗当中，交越损耗占的比重大吗，如果不大，是不是只要计算导通损耗和栅极充放电损耗就行了？

archersqin · 发表于 2014-7-8 09:20:00

不行，都要计算在内

暮若幽荷 · 发表于 2014-7-8 09:34:19

自己顶顶

暮若幽荷 · 发表于 2014-7-8 09:36:31

回复 2# archersqin

哦谢谢啊

math123 · 发表于 2014-7-8 10:56:37

交越损耗就是上下管同时导通？不是有anti-shoot through电路来防止这种情况吗？

zgln1234 · 发表于 2014-7-8 22:01:07

回复 5# math123

交越损耗是指开关管管段或者开启时通过的电流与两端电压不同时为零，所以会有功耗损失

暮若幽荷 · 发表于 2014-7-9 09:15:34

回复 6# zgln1234

是啊，我直观感觉这部分损耗占得比重不是很大，不知道需要在效率时考虑不

castlerock · 发表于 2014-8-4 16:40:50

回复 7# 暮若幽荷

这部分损耗不小的，和开关频率有关系，不能忽略

ohyesdcy · 发表于 2015-8-1 13:42:35

还和输入电压大小有关，如果3.3V和42V显然不同

幻城 · 发表于 2016-1-12 16:57:24

5楼说的对。如果电路有交越损耗，那会是挺大的一个量，需要考虑的。但是一般都会设置一个延迟，不会同时导通的

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