CMOS工艺中的BJT性能问题~~

太英俊 · 发表于 2014-6-21 20:00:07

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刚看到一篇过温保护的paper,作者说标准CMOS工艺中的BJT性能较差，请问各位是什么原因呢？

math123 · 发表于 2014-6-22 02:48:34

本帖最后由 math123 于 2014-6-22 05:04 编辑

标准双极型的npn是垂直结构，集电极包围着基区，这样集电极收集发射区注入基区电子的能力提高，beta可达到100左右，而且NBL大幅减少了集电极电阻。

标准CMOS工艺中的PNP就是PMOS里面的横向寄生P+ NW P+结构，发射极电子只有大部分到达集电极，其beta较小在几左右

newrfdesign · 发表于 2020-8-19 04:23:36

Thanks for sharing.

[求助] CMOS工艺中的BJT性能问题~~