模拟IC设计工程师面试经常会碰到的一个经典问题，跪求高手解答

Alex-L · 发表于 2014-6-22 21:51:07

额——貌似懂了什么

zhangyihan · 发表于 2015-10-8 22:59:12

我说一下我的想法：
1、正如拉扎维所说，如果不考虑沟道长度调制效应，这个电路的电流可为任意值，电流只与栅压有关，而N管和P管的栅压是独立的，对于一定范围内的任意电流都有与之相应的栅压使P管N管的电流想等；
2、既然此题要考虑静态工作点，显然是要考虑沟道调制效应；如果从栅端断开进行开环分析，在环路前进过程中有一个管子是从漏断前进至栅端，显然就无法分析了，因为栅端影响电流，漏端影响电流，而漏端变化不能引起栅端变化；
如果从漏端断开分析，二极管连接的MOS管漏断作为断开起始点延环路是正反馈（栅压变化对电流），而断点的另一端的变化（漏断电压对电流）是负反馈。

zhangyihan · 发表于 2015-10-8 23:08:15

因为沟道调制效应与栅压对电流的控制相比，非常弱，可以忽略不计，所以如拉扎维书上所说必须加电阻确定静态工作点。

goxdl · 发表于 2015-10-9 15:38:14

牛人真是厉害。。。我去，，

乐音星履 · 发表于 2016-3-1 16:27:10

表示没看懂大神们说的

zhangyihan · 发表于 2016-7-28 16:23:58

我更正一下之前的说法，应该是在漏端断开加电流，分析电流的环路增益；或者在栅端断开加电压，分析电压的环路增益。(忽略沟长效应，λ≈0，ro>>1/gm)

ygcjt · 发表于 2016-8-27 08:56:43

下来看看

zixin1hao · 发表于 2016-8-27 11:47:37

回复 6# poet

两个二极管接法的MOS管本身就是两个负反馈子环路？

aznsj · 发表于 2016-8-27 13:19:38

哎，模电都是在国外学的，看中文真累。。。疯

chengji1999 · 发表于 2016-8-27 13:27:45

学习了~！

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