有关IBM的BiCMOS电路问题，那位大牛知道？求教！

novatmay · 发表于 2014-6-17 15:30:47

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问题：在BiCMOS工艺中，设计一个最简单的共发射级放大器，如图；
在合理的基极偏置下，我查了NPN的工作状态，gm，beta等都正常，但是进行交流仿真的曲线不正常（低频时小于1，高频是上翘到3左右），和理论计算相差非常大，而且曲线的形状不正常；请问这是什么原因啊？

注：有两种方法可以让曲线形状正常：1.NPN的发射极不连接有源器件，可以连接无源器件或者直接接地；
2.在有源电流源上连接两个差分的NPN的发射极；
这又是什么原因呢？
那位大牛知道其中奥秘，我觉得有点矛盾啊！谢谢啦！

novatmay · 发表于 2014-6-17 17:37:47

自己顶一下！

lky000000 · 发表于 2014-6-17 18:17:40

单级没有这么接的，你相当于射极接了大电阻，射极反馈，Gm=gm/1+gmR，你接了大电阻，R为无穷大，整体的跨导约等于0，哪里还有增益。

guilio · 发表于 2014-6-17 20:52:49

AT high frequencies I often find improvements using HBT current mirrors other than MOS ones.

wkfr · 发表于 2014-6-17 21:20:30

如果是single ended的电路没有这么接的吧 3楼已经说了原因了高频增益上升是因为 MOS的电容起了一定的短路作用所以 degeneration变小了
接差分的肯定可以因为差分的地在对称点处接的这个电流源对差分信号没有影响
LZ卫生不把这个MOS电流源接到 C 端去

max000 · 发表于 2014-6-17 21:45:02

1, 发射极连接电阻或者是MOS开关，相当于减小单级GM
2, 差分的交流地在NPN的射及

lonerinuestc · 发表于 2014-6-18 08:35:51

弱弱问一个，IBM的SiGe BiCMOS工艺对外开放吗？

novatmay · 发表于 2014-6-18 11:08:32

非常感谢大家的回复，我明白了；有时候自己陷进去就有点糊涂啦！

lulululu12 · 发表于 2015-12-14 06:40:43

CMOS 用於低速.
BiCMOS 用於高質量

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