关于TSMC 的 Deep Nwell

liuqilong8819 · 发表于 2014-6-11 16:44:14

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版上各位大神好，

最近我在用TSMC .18 Mixed-signal 的工艺，知道其中有Deep Nwell NMOS的器件。最近我想把我所有的数字电路放到Deep Nwell 中好实现与衬底的隔离，但是每次过LVS时都会遇到问题。通过对简单反相器的LVS测试发现 Calibre 自动将Deep Nwell 上面的普通NMOS识别成Deep Nwell NMOS，从而导致LVS error. 可是问题是我想要放到DNW中的是数字电路标准单元，不能简单的改变库中元件的类别而通过LVS。所以现在没想到什么办法。。。

感觉这个问题应该可以解决，但是还没想到办法。请问版上的各位大神是否遇到过类似的情况？在此提前谢过了！

jiangtaojack · 发表于 2014-6-12 08:53:27

有两种方法
1.修改电路，让其对应版图LVS识别出来的管子类型
2.先将DNW换成TEXT层次，等LVS过了再改回来即可

IOT_chuanshuo · 发表于 2014-6-12 09:30:18

我觉得可以修改LVS文件

liuqilong8819 · 发表于 2014-6-13 07:59:09

恩，感觉楼上两位朋友提供的这三种办法可行，但是觉得不是那么的elegant，不知道还有没有什么其他的办法？

hebut_wolf · 发表于 2015-4-27 14:51:37

关键是PMOS放在Deep n well中，PMOS的Nwell 电位如何跟deep n well的电位实现隔离。
实现不了吧。青年

Rucas · 发表于 2015-4-28 09:19:21

同意楼上的说法。

supericeman999 · 发表于 2015-5-4 19:39:36

同意楼上的说法。

leo2leo · 发表于 2015-5-8 16:38:09

没用过这个工艺。但是遇到过一个工艺叫WTN的可以做ISO器件

大海wdh · 发表于 2015-5-19 19:58:10

nmos下有pwell吧，你那个pmos管加了深nwell，本来就性能改变了，至少器件阈值变了，你应该将电路器件改了才对

motofatfat · 发表于 2015-5-21 10:28:54

三種方式
改 L Layout
改 V rule file
改 S Sch

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