关于TSMC的Deep Nwell

enian · 发表于 2014-10-1 03:31:11

我也碰过本来是低压mos 结果str out，str in，就成了厚氧器件不知道怎么回事

goodsilicon · 发表于 2015-2-27 15:11:50

DNW内外的device是不同的device
你把标准单元放到DNW里面，特性会和外面不一样，所以fab才做一个DNW MOS
...
yshmilyou 发表于 2014-6-13 14:43

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差不多的

goodsilicon · 发表于 2015-2-27 15:12:29

deep nwell 影响不大，现在的nwell, deep nwell都是离子注入做的，控制注入能量就能控制深度
对于lvs来说肯 ...
fuyibin 发表于 2014-6-12 13:53

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这位说的有理

麒麟 · 发表于 2015-2-27 19:24:24

长见识了

chaojoe · 发表于 2015-3-4 11:31:34

謝謝分享

Desingman · 发表于 2017-12-19 20:18:39

你想要的只是一堵墙，但是一不小心给挖了个坑的意思？

koren12 · 发表于 2022-11-24 16:23:23

推荐方法：先用非deepnwell 的过了LVS 验证，然后输出网表，修改网表，只做器件的替换

m8510a · 发表于 2022-12-5 15:49:20

学习了

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