关于gm/ID,以及反型区的解释，感觉分析最清楚comer的文章

zhenglibin86 · 发表于 2014-5-12 13:46:16

回复 6# skymid

想问下，比如说VCO设计，除了考虑下MOS管的电容外，是否可以根据模拟设计电路的方法，利用中反来提高效率或者说减少功耗呢？

zjwu508 · 发表于 2014-5-12 14:43:36

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skymid · 发表于 2014-5-12 14:47:42

回复 11# zhenglibin86

analog和RF中很难说非要工作在什么区？就是trade-off吧，工作在moderate invertion固然效率高，但是频率特性差了，难获得好的高频特性，关键看你的spec吧。还有就是我们平时设计是时考虑的RF model和analog model的区别，你可以对比一下

iyahsue · 发表于 2014-5-13 15:52:24

gooooooooooooooooooooooooooood

issaczy · 发表于 2014-5-14 14:45:23

xialaikankan

qwerabc · 发表于 2014-5-15 08:48:26

看看哈

chhwang0123 · 发表于 2014-5-18 01:51:38

very good material

liuzhieetop · 发表于 2014-5-25 07:56:37

谢谢分享

moonpluto · 发表于 2015-2-19 20:40:55

非常感谢

EE1558587419 · 发表于 2015-10-20 19:50:07

好资料

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