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楼主: zhenglibin86

[资料] 关于gm/ID,以及反型区的解释,感觉分析最清楚comer的文章

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 楼主| 发表于 2014-5-12 13:46:16 | 显示全部楼层
回复 6# skymid


   想问下,比如说VCO设计,除了考虑下MOS管的电容外,是否可以根据模拟设计电路的方法,利用中反来提高效率或者说减少功耗呢?
发表于 2014-5-12 14:43:36 | 显示全部楼层
赞一个
发表于 2014-5-12 14:47:42 | 显示全部楼层
回复 11# zhenglibin86


   analog和RF中很难说非要工作在什么区?就是trade-off吧,工作在moderate invertion固然效率高,但是频率特性差了,难获得好的高频特性,关键看你的spec吧。还有就是我们平时设计是时考虑的RF model和analog model的区别,你可以对比一下
发表于 2014-5-13 15:52:24 | 显示全部楼层
gooooooooooooooooooooooooooood
发表于 2014-5-14 14:45:23 | 显示全部楼层
xialaikankan
发表于 2014-5-15 08:48:26 | 显示全部楼层
看看哈
发表于 2014-5-18 01:51:38 | 显示全部楼层
very good material
发表于 2014-5-25 07:56:37 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2015-2-19 20:40:55 | 显示全部楼层
非常感谢
发表于 2015-10-20 19:50:07 | 显示全部楼层
好资料
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