最近貌似论坛讨论不是很热烈，我来提点新鲜的话题。

hszgl · 发表于 2014-5-5 14:57:56

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本帖最后由 hszgl 于 2014-5-5 14:59 编辑

最近貌似论坛讨论不是很热烈，我来提点新鲜的话题。

各位考虑下，如何把Fin-FET（Intel叫Tri-Gate）应用到analog设计中？模型会是怎样的？
貌似BSIM v3.3 不太够用了哦。。。

aqishisi · 发表于 2014-5-5 15:01:19

不明觉厉

hszgl · 发表于 2014-5-5 15:04:22

回复 2# aqishisi

强烈要求前辈参与讨论。扯扯蛋也行啊~~

lonerinuestc · 发表于 2014-5-5 15:34:14

好像0.13以下都不是BSIM了吧？应该是PSP，纯属猜想，求验证

mk2003 · 发表于 2014-5-5 15:47:26

0.13 以下是 bsim 4

hszgl · 发表于 2014-5-5 16:39:26

回复 5# mk2003

哦哦，是的，我弱爆了。多谢告知。

lwjee · 发表于 2014-5-5 18:21:21

BSIM V4.6

semico_ljj · 发表于 2014-5-5 19:49:06

继续……

hszgl · 发表于 2014-5-5 19:57:14

话说Fin-FET的栅立起来了，计算w的话还得加上两侧栅的高度，而电场也是立体了，这些和目前设计用的的W/L思路不一致，会不会有新的设计方法或者理论出来呢？

bellona · 发表于 2014-5-5 22:01:48

估计用gm/ID方法还是可以的

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