求分析一篇Silicone Laboratories的电流基准专利

xmclogic · 发表于 2014-4-29 17:49:18

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GRAY

上边这篇专利应该是用了VT/R技术，但与GRAY书上（下边）的有很大不同，专利上面不是一对Current mirror，这样工作点应该怎么分析呢？

jiang_shuguo · 发表于 2014-4-29 17:59:10

跟Gary 的一样，没看出有什么不同，就是费了挺大的劲把电流做的更准点。

xmclogic · 发表于 2014-4-29 18:21:17

回复 2# jiang_shuguo

里面最让我难以理解的是N管2005的栅极接地，这样不就让流过N管2010的电流非常小了吗？这样怎么达到他想要的工作点呢？

xmclogic · 发表于 2014-4-29 18:36:42

回复 2# jiang_shuguo

在GRAY的书里面Iin=Iout，但在专利里面并没有强制流过N管2010的电流和流过电阻2025的电流相等，这时候静态工作点是怎么确定的呢？

jamesccp · 发表于 2014-4-29 22:52:18

回复 3# xmclogic

感觉 2005 是 P管才合理啊

xmclogic · 发表于 2014-4-30 09:10:35

回复 5# jamesccp

可明显不是P管啊，上面N管P管分得很清楚。

semico_ljj · 发表于 2014-4-30 10:40:46

万一是耗尽管呢？

xmclogic · 发表于 2014-4-30 16:47:11

回复 7# semico_ljj

如果是耗尽型，请问你能推出它的工作点吗？谢谢！

xmclogic · 发表于 2014-5-1 07:24:03

顶一顶，不要沉了，让更多人看到。

xmclogic · 发表于 2014-5-3 16:38:36

额，没有大神愿意回答吗？

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