LOD效应和STI效应有什么区别

ecxin0518 · 发表于 2020-6-1 09:28:04

谢谢楼主分享

bing_bing · 发表于 2020-6-7 22:03:33

一回事

zhao!!! · 发表于 2020-8-17 16:01:25

学习了

A565417449 · 发表于 2020-9-3 17:21:48

学习了

hadeheng · 发表于 2020-11-19 19:32:54

get了，thanks

zhangchongyan · 发表于 2020-11-23 14:14:21

受教了

zhao!!! · 发表于 2020-11-23 16:06:27

学习了

huaijiu · 发表于 2021-8-26 15:18:53

sltu02 发表于 2014-4-14 01:04
二者都是指同一件事...STI對silicon產生stress，改變了器件的晶格長度，使得VT和IDS在OD很小時會有與OD較大 ...

所这个OD是源漏到栅之间的距离吗？

天边游侠 · 发表于 2023-3-14 16:01:18

都是一个东西

红红的西瓜 · 发表于 2023-3-26 14:44:41

请问场氧具体是指那一部分结构

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