LOD效应和STI效应有什么区别

898spake · 发表于 2014-4-8 16:35:55

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如题，想知道LOD效应和STI效应有什么区别吗？

sltu02 · 发表于 2014-4-14 01:04:12

二者都是指同一件事...STI對silicon產生stress，改變了器件的晶格長度，使得VT和IDS在OD很小時會有與OD較大時產生極大的特性差異

hybeam · 发表于 2014-4-16 23:50:38

学习了

sosofa · 发表于 2014-7-2 16:09:16

学习了

dragonyanhao · 发表于 2014-7-23 14:59:10

同一回事，表述不一样而已。

zhibo90 · 发表于 2016-5-3 20:20:36

学习了谢谢

3114007309 · 发表于 2018-12-17 15:27:35

LOD( Length of Diffusion): 從025um以下的製程，元件之間是利用較先進的STI(Shallow Trench Isolation)的方法來做隔絕。 STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填入二氧化矽當絕緣層。這個在substrate挖出溝槽的動作會產生應力的問題，由於FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距離不同，應力對MOS的影響也不同。
所以當擁有相同的Gate Length和Gate Width的兩個MOS，因為擴散區長度不同造成其電流不同。

3114007309 · 发表于 2018-12-17 15:28:18

LOD( Length of Diffusion): 從025um以下的製程，元件之間是利用較先進的STI(Shallow Trench Isolation)的方法來做隔絕。 STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填入二氧化矽當絕緣層。這個在substrate挖出溝槽的動作會產生應力的問題，由於FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距離不同，應力對MOS的影響也不同。所以當擁有相同的Gate Length和Gate Width的兩個MOS，因為擴散區長度不同造成其電流不同。

lichunlin2019 · 发表于 2018-12-23 15:45:55

回复 8# 3114007309

drc的时候经常出现STI问题，之前MPW我们都直接跳过，不知道大神是一般是怎么消除这个错误的，一般模块拼接的空当还有MOM电容下面度出现，难道打上老粗的隔离？？？

AstonMartin · 发表于 2019-12-20 10:50:07

应该是同一件事，在不同工艺中的不同叫法吧

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