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[讨论] 功率NMOS衬底电流

发表于 2014-4-4 14:50:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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工作在饱和区的功率NMOS。
沟道到P衬底会不会跑电子？
如果有，跟功率NMOS沟道流过的电流大小有没有关系？

比方说，静态电流几个毫安，几百毫安甚至安培级别的电流会
导致衬底电流增加吗？

（我的问题是由工作在饱和区的静态功率NMOS需不需要打
很宽的P+ 保护环所引起。
因为开关型功率管必然通过寄生电容充放电
给衬底注入少子引起干扰，需要有很宽的保护环们来吸收）

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