关于rpploy环境问题？

apple001 · 发表于 2014-3-21 13:25:25

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各位路过的哥哥姐姐，请问rpploy两端电阻，做在NW包裹的N+ guardring（NGR）中和做在PSUB环绕的P+ guardring（PGR）中有什么区别吗？对电阻有影响否？rpploy能做在PGR中吗？
请大家指点一下，谢谢！

fuyibin · 发表于 2014-3-21 14:10:12

没什么关系

ygyg100 · 发表于 2014-3-21 15:34:55

据我所知，poly电阻做在NW上面（NW接干净电源）或者poly电阻做在Psub上（周围一圈p guarding接干净地），这两种都是为了减小衬底强噪声对电阻的影响。
不同的是，一个下面接电源，一个下面接地，这样对电阻产生的电场影响不一样。

另外你第一个图里，NW里面还有个P+环是怎么回事？

apple001 · 发表于 2014-3-21 16:58:16

回复 3# ygyg100

第一个图表示的是 rppoly是p+覆盖的. poly电阻我使用到rppoly和rnpoly 这两者从版图上看，区别就是一个有P+，一个有N+.图中以rppoly为例，就是想知道分别置于PGR和NGR，会有什么影响？我个人认为rppoly置于NW包裹的NGR是最好的，但也有人有不同意见，我是想了解那种更好！谢谢

ygyg100 · 发表于 2014-3-21 17:27:57

回复 4# apple001

理论上来说，应该是放在NW上面对噪声的屏蔽更好一些。

Luck-Yang · 发表于 2022-9-15 13:06:40

ygyg100 发表于 2014-3-21 17:27
回复 4# apple001

如果，放在NW里，你NW外面一圈是不是也得接N ring 然后接电源，电源也有噪声啊，也会耦合到电阻两段啊，这个怎么解释呢？

ncash0933 · 发表于 2022-9-15 13:49:09

谢谢分享

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