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[资料] "Process HJ" high speed, suitable for RF

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发表于 2014-3-13 17:14:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 gnoc 于 2014-3-13 17:16 编辑

This paper describes "Process HJ" a new high speed,
low power complementary bipolar technology suitable for
RF applications, which features high frequency NPN and
PNP transistors of 30GHz and 20GHz, respectively. The
technology uses fully isolated double polysilicon selfaligned
architecture and 0.6μm emitters. Resistors,
capacitors, inductors and 3 levels of metallisation are also
incorporated.


 楼主| 发表于 2014-3-13 17:16:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 gnoc 于 2014-3-13 17:19 编辑

ProcessHJ.pdf (243.24 KB, 下载次数: 47 )
发表于 2014-3-18 22:26:42 | 显示全部楼层
非常感谢提供!
发表于 2016-9-11 14:59:30 | 显示全部楼层
thank you
发表于 2016-9-11 18:43:09 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2017-5-4 20:01:10 | 显示全部楼层
还不错
发表于 2017-6-1 18:09:18 | 显示全部楼层
thanks
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