在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2543|回复: 8

[求助] 在两套电源工艺下的伸出管子部分的poly需要用电源标识层覆盖吗

[复制链接]
发表于 2014-3-3 20:18:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在两套电源工艺下(1.8V和3.3V),3.3V用标识层TG覆盖管子,请问在3.3V的电路中,露出管子部分的poly需要用该标识层TG覆盖吗?
发表于 2014-3-4 09:17:01 | 显示全部楼层
回复 1# liuweihuipan

你的管子不是直接调用PDK库里的吗?
发表于 2014-3-4 09:18:19 | 显示全部楼层
你看设计规则啊。应该是不需要的,只要把gate盖住就可以了。
 楼主| 发表于 2014-3-4 16:07:39 | 显示全部楼层
回复 2# xxmule 不是,PDK是我自己设计的
 楼主| 发表于 2014-3-4 16:08:47 | 显示全部楼层
回复 3# ygyg100

恩,规则上没这个要求,
发表于 2014-3-5 14:18:04 | 显示全部楼层
应该是没有这个必要的,只需要区别栅氧化层厚度即可,这个主要看设计规则有没有规定
有些厂商可能需要覆盖整个MOSFET,有些就不需要,这种差异或许因为其MASK的逻辑运算不同
 楼主| 发表于 2014-3-5 22:28:15 | 显示全部楼层
回复 6# 版图漫游者

谢谢你的回答,重新看了规则和MASK资料,应该是不需要覆盖的
发表于 2014-3-6 09:10:14 | 显示全部楼层
回复 4# liuweihuipan


    牛人
发表于 2014-3-8 15:04:48 | 显示全部楼层
一般不需要,

保险起见,可以查看规则文件中对器件和层次的定义
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-3 06:56 , Processed in 0.027892 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表