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比利时微电子中心使用CMOS工艺研制首个79GHz雷达发射器前端
[据硅半导体网站2014年2月18日报道]
比利时微电子研究中心（IMEC）和布鲁塞尔自由大学联合宣布，采用纯数字28nm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺实现了世界首个79GHz雷达发射器前端，输出功率大于10dBm，为实现汽车和智能环境用全雷达单片集成铺平了道路。
该毫米波雷达系统的距离分辨率优于10cm、角度分辨率优于10度，将用于下一代驱动辅助系统以改进在尘、雾和黑暗等模糊条件下的安全性，因为现有基于图像的驱动辅助系统通常会在这些条件下失效。
然而，为实现高分辨率、宽视场和高角度分辨率所需达到的高带宽和载波频率意味着需要使用大型、昂贵和高能耗的毫米波天线阵列。因此，低能耗、紧凑型雷达技术是实现下一代汽车和智能环境应用的关键。
IMEC的连续波雷达发射器工作在79GHz频段。该雷达发射器前端采用28nm CMOS工艺实现，电源电压为0.9V，功耗仅为121mW，完全符合欧洲电信标准协会（ETSI）提出的频谱划分。该发射器采用相位调制，保证了强抗干扰能力，并可支持编码域多输入多输出（MIMO）雷达。研究结果发表于上周在旧金山召开的ISSCC2014会议论文中，题目为?#37319;用28nm工艺的79GHz调相4GHz带宽CW雷达发射机?#65292;作者为Giannini等。
IMEC欢迎工业界和学术界的伙伴共同参与到研发中。IMEC计划在2014年底完成接收机功能的研制后，能在2015年底前研发出完整的多天线实验室产品原型。之后，通过集成模数转换器和数字逻辑电路，实现雷达收发机的全单片系统集成。 |
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发表于 2014-3-1 14:08:28
