PTPX进行功耗分析，为什么switching power比internal power小那么多

haimo · 发表于 2014-2-13 14:07:00

Spower是对负载电容充放电产生的。三态节点的产生应在是在MOS管关断时，应属于泄漏功耗吧。
荆棘鸟OO 发表于 2014-2-13 13:48

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比如电压是1.5V，那么一些电路中没有用到的路径的三态结点可能初始上电停在0.4V，0.75V，这对后面的门电路会造成漏电，并且这种三态会一直传播下去，你看看电路中有么有三态结点。

荆棘鸟OO · 发表于 2014-2-13 14:27:18

比如电压是1.5V，那么一些电路中没有用到的路径的三态结点可能初始上电停在0.4V，0.75V，这对后面的门电路 ...
haimo 发表于 2014-2-13 14:07

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这个该怎么看，还请指教一下？

haimo · 发表于 2014-2-13 14:33:36

记得以前用hsim仿真，交互模式下，可以打印大于某值的电流，然后根据电流锁定结点，打印该节点的电压。
其他工具不清楚了。你再问问高手。

alexsilvester · 发表于 2014-2-23 23:10:44

这是一个很好的材料

wangxu2200 · 发表于 2015-10-14 00:52:43

假设你其他设置都正确的情况下。
我推断你做的是一个memory（比如以SRAM为例）电路的仿真。
SRAM中，逻辑电路很少只有些行列译码、MUX、预充逻辑、还有灵敏放大器；绝大部分都是SRAM cell。
在SRAM阵列中，一次读写操作只有一行一列被选中，所以switching power很小。而没有被选中的大量cell都处于保持状态，即2个access gate关闭，数据保持在两个反相器中。即体现为Static power。
SRAM中耗电最大的是bitline的充放电功耗，在SRAM cell版图设计中，位线包含在cell中，所以位线功耗被分散体现在每个cell的电容充放电中，即Internal中的一部分。所以它最大。

我也要当学术帝 · 发表于 2015-12-2 19:29:59

学习下

AlexLee1993 · 发表于 2022-4-11 08:59:58

学习了

lm358_hzx · 发表于 2023-5-13 17:08:46

荆棘鸟OO 发表于 2014-2-13 09:02
回复 2# kuolifeng

对了，报告中clock_network组中Spower为0是不是意味着clock没有toggle呢？ ...

感觉不是，楼主有经过时钟树综合吗，如果没有时钟树的话，关于clock_network的评估可能就是不准的，另外，楼主可以用report_switching_activity查看一下clock gate的标注率，很有可能标注率为0，导致clock_network的switching power为0，所以并不是实际翻转为0，而是工具使用可能有问题

jeromechen2008 · 发表于 2023-5-18 18:21:26

后端release给你的spef文件要用上，没有spef的话wire的RC引起的功耗计算的会很不准确。

卷柏 · 发表于 2024-12-28 18:27:36

有朋友用set_power_analysis_options生成的瞬态功耗波形为负值的情况么

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