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[资料] 东芝0.13um BCD工艺论文

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发表于 2014-2-7 13:06:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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isdsd_bicd_013_proceeding.pdf (387.64 KB, 下载次数: 223 ) 如题!
 楼主| 发表于 2014-2-7 14:07:53 | 显示全部楼层
想玩5Mhz 开关频率DC-DC的就好好看看吧!小日本那是远远超过我们了啊
发表于 2014-2-8 05:50:46 | 显示全部楼层
回复 2# xiaowanzi88


   请问它厉害在哪里?我是power IC的初学者,不过我知道韩国有类似的工艺,Ron*Area也和这个差不多。
发表于 2014-2-8 10:25:09 | 显示全部楼层
5Mhz 开关频率DC-DC ?
國外不是都有  30M~ 100M Dc dc
Intel haswell CPU 旁的IVRM 就是 30MHZ dc to dc
发表于 2014-2-10 11:17:10 | 显示全部楼层
是关于LDMOS管的。
发表于 2014-2-10 14:47:28 | 显示全部楼层
谢谢。加油
发表于 2014-4-25 12:03:35 | 显示全部楼层
Toshiba’s 5th generation BiCD/CD-0.13 is a new
process platform for analog power applications based on 0.13μm
CMOS technology. The process platform has six varieties of
rated voltage, 5V, 6V, 18V, 25V, 40V, and 60V. 5 to 18V CD-0.13
process use P-type silicon substrate. 25 to 60V BiCD-0.13
process use N-Epi wafer with N+/P+ buried layer on P type
silicon substrate.
发表于 2014-4-25 12:03:56 | 显示全部楼层
Toshiba’s 5th generation BiCD/CD-0.13 is a new
process platform for analog power applications based on 0.13μm
CMOS technology. The process platform has six varieties of
rated voltage, 5V, 6V, 18V, 25V, 40V, and 60V. 5 to 18V CD-0.13
process use P-type silicon substrate. 25 to 60V BiCD-0.13
process use N-Epi wafer with N+/P+ buried layer on P type
silicon substrate.
发表于 2014-4-25 12:28:15 | 显示全部楼层
非常感谢提供!
发表于 2015-4-23 19:14:25 | 显示全部楼层
师夷长技以制夷
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