哪位兄台知道特别低噪声的工艺

kwankwaner · 发表于 2013-12-26 14:23:03

回复 10# jiang_shuguo

音频范围是20-20K，这类amp会用chopping把1/f搞上去，所以低频都是平的，但是200u我觉得没法搞chopping，而且面积又小，因此我觉得是特殊的工艺或者是定制的。

你说.18以下吗，cox变化确实使得1/f会降低，但不可能降到0.1Hz就转角了，一般都要百k才转，65,40,28,16n的我都看了，做不到那么低

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 14:53:45

回复 11# kwankwaner

哦，你给的指标是噪声密度的原因应该是这个：音频范围是20-20K，这类amp会用chopping把1/f搞上去，所以低频都是平的。0.1Hz是举个例子。感觉通常做法应该是chopping把i/f抬上去，在低通。你电流小，chopping没法做？没有chopping那就完全看工艺的，那就是BCD工艺中的bjt管搞了。cmos肯定搞不来。

kwankwaner · 发表于 2013-12-26 15:50:02

回复 12# jiang_shuguo

就算不是平的窄带也不太会给积分噪声，就算两个电路1/f有20db的差别，积分到几百k之后根本看不出区别
你觉得是bipolar？几个芯片的版图我看了，是cmos的，bipolar电流噪声太大在这种应用中不会用的。刚才我查有个棒子公司研制了超低噪声的mos工艺，就是不知道怎么做的。

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 16:00:02

回复 jiang_shuguo

就算不是平的窄带也不太会给积分噪声，就算两个电路1/f有20db的差别，积分到 ...
kwankwaner 发表于 2013-12-26 15:50

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你说的前半句不知道是基于什么，我的某款产品和一些对手的产品完全不是你的情况，而是我前面说的情况。但我们的产品噪声稍差于对手，是因为我们的cmos工艺和对手的bjt。特别当积分下限很低时，差别更大。我给你的结论是基于理论和仿真和实际产品测试结果。不知道你依据是什么？

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 16:02:02

回复 13# kwankwaner

补充下，积分上限是100KHz。你应该是参考0.13um以下工艺，我前面说过了0.35um以上和0.13um以下噪声的主导完全不同。

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 16:04:00

你的对手用cmos是成本的考虑，而且他们cmos出来的电路能满足噪声要求。在噪声性能上cmos能满足的，bjt一定更好。

kwankwaner · 发表于 2013-12-26 16:48:05

回复 14# jiang_shuguo

我想你理解的窄带和我说的窄带带宽还是有差别的，毕竟不管你低频噪声多么高，只要积分到高频比如几十K后就差不了多少了，用不用chopping或者其他技术在积分噪声看不出来的，你说的都到0.1Hz了明显应用不一样，而且你1/f转角应该比较高频。

我不清楚你说的噪声主导问题，你好解释一下吗，我考虑的是.35以上的

用CMOS的原因是由于源阻抗非常大几十M，所以通常来说bipolar反而性能会差

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 17:03:32

回复 17# kwankwaner

是应用不同。我说的噪声主导不同是噪声的主要贡献者不同（闪耀还是热噪声），就是转角频率。

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 17:05:34

“毕竟不管你低频噪声多么高，只要积分到高频比如几十K后就差不了多少了”这个要看具体电路，工艺等。对于我的产品不是你说的情况。

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-26 17:10:18

“用CMOS的原因是由于源阻抗非常大几十M，所以通常来说bipolar反而性能会差”你可以CMOS和bjt结合，BCD工艺。成本太高估计你不会考虑。不明白你源阻抗只什么？

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